Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 117 A 78 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-9383
Herst. Teile-Nr.:
IRFH7446TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

117A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6 mm

Automobilstandard

Nein

Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

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