Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 117 A 78 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9385
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-530
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7446TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.3.99
Nur noch Restbestände
- Letzte 4’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.0.798 | CHF.3.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9385
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-530
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7446TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 117A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 117A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 117 A 78 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.2 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 40 A 37 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN