Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P -30 V / -40 A 52 W, 8-Pin BSZ120P03NS3GATMA1 TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
BSZ120P03NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

P

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die äußerst innovativen OptiMOS-Familien von Infineon umfassen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Verdienstmerkmale.

Verstärkungsmodus

Normaler Pegel, Logikpegel oder Super-Logikpegel

Avalanche-geschützt

Bleifreie Kabelbeschichtung; CE-Kennzeichnung

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