Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 205 A IQE013N04LM6CGATMA1 TTFN

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RS Best.-Nr.:
258-3923
Herst. Teile-Nr.:
IQE013N04LM6CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

205A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IQE

Gehäusegröße

TTFN

Montageart

Oberfläche

Durchlassspannung Vf

1V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS-Leistungs-MOSFET 40 V in einem 3,3 x 3,3 PQFN Source-Down-Centre-Gate-Gehäuse. Dieser beste Leistungs-MOSFET in seiner Klasse fordert den Status quo in Bezug auf Leistungsdichte und Formfaktor in der Endanwendung heraus. Ein Ziel bei der Konstruktion von Elektrowerkzeugen besteht darin, die internen Einschränkungen der Anforderungen an den Leiterplattenbereich zu minimieren, um ein ergonomisches Design zu ermöglichen und die Endbenutzererfahrung zu optimieren. Durch das gleichzeitige Bewegen des Wechselrichters vom Griff in den Kopf wird das Volumen des Motorgehäuses des Elektrowerkzeugs minimiert und gleichzeitig das Drehmoment des Werkzeugs auf einem relativ hohen Niveau gehalten, um eine schnelle und einfache Aktion zu ermöglichen.

Hohe Strombelastbarkeit

Effizientere Nutzung des PBC-Bereichs

Höchste Leistungsdichte und Leistung

Optimierte Abmessungen für MOSFET-Parallelisierung mit Mittelgatter

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