Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 150 V / 186 A TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3956
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF150P221AKMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.6.626 | CHF.165.53 |
| 50 - 100 | CHF.6.29 | CHF.157.24 |
| 125 + | CHF.6.027 | CHF.150.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3956
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF150P221AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 186A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 186A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET StrongIRFET wurde für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern optimiert. Erhöhte Zuverlässigkeit im Vergleich zu Teilen für 150 °C und Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard.
Sehr niedriger RDS(on)
Geringere Leitungsverluste
Ideal für hohe Schaltfrequenz
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