Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 25 V / 220 A 96 W WDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-3965
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6717MTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3965
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6717MTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 220A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | WDSON | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.1mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 220A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße WDSON | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Hoher Nennstrom
Zweiseitige Kühlung
Kompakter Formfaktor
Hoher Wirkungsgrad
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