Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 25 V / 220 A 96 W WDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.5.716

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 4'740 Einheit(en) mit Versand ab 18. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.2.858CHF.5.72
20 - 48CHF.2.404CHF.4.81
50 - 98CHF.2.262CHF.4.53
100 - 198CHF.2.091CHF.4.18
200 +CHF.1.939CHF.3.89

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3965
Herst. Teile-Nr.:
IRF6717MTRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

220A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

WDSON

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.1mΩ

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Hoher Nennstrom

Zweiseitige Kühlung

Kompakter Formfaktor

Hoher Wirkungsgrad

Verwandte Links