Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 25 V / 220 A 96 W WDSON

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258-3965
Herst. Teile-Nr.:
IRF6717MTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

220A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

WDSON

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.1mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Hoher Nennstrom

Zweiseitige Kühlung

Kompakter Formfaktor

Hoher Wirkungsgrad

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