Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W IRFR6215TRLPBF TO-252

RS Best.-Nr.:: 258-3986
Herst. Teile-Nr.:: IRFR6215TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W IRFR6215TRLPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.6.775

Auf Lager

Zusätzlich 1’465 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.1.355	CHF.6.77
50 - 120	CHF.1.218	CHF.6.10
125 - 245	CHF.1.155	CHF.5.75
250 - 495	CHF.1.071	CHF.5.36
500 +	CHF.0.987	CHF.4.95

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-3986
Herst. Teile-Nr.:: IRFR6215TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-150V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	580mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	110W
	Durchlassspannung Vf	-1.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	44nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -150V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 580mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 110W
	Durchlassspannung Vf -1.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFR6215TRLPBF

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphase-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren entwickelt. Die gerade Kabelversion ist für die Durchgangsbohrungsmontage vorgesehen. Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt sind in typischen SMD-Anwendungen möglich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

erhöhte Robustheit

Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Qualifikationsstufe nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W IRFR6215TRLPBF TO-252

Verwandte Links