Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A TO-262

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RS Best.-Nr.:
258-3987
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ44NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Oberfläche

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET von International Rectifier bietet fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Silizium-Fläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerät, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

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