Infineon DirectFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 3.8 W DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 258-8201
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7739L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.6.848
Vorübergehend ausverkauft
- 4'000 Einheit(en) mit Versand ab 05. November 2026
- Zusätzlich 4'000 Einheit(en) mit Versand ab 24. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 49 | CHF 6.85 |
| 50 - 99 | CHF 6.12 |
| 100 - 499 | CHF 5.02 |
| 500 - 1999 | CHF 4.29 |
| 2000 + | CHF 3.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-8201
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7739L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 270A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Serie | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 220nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Lead-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Serie DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 220nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Lead-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
Verwandte Links
- Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 3.8 W DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A DirectFET
- Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 25 A 42 W, 3-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 160 A DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 124 A DirectFET
- Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET
- Infineon AUIRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 545 A 340 W, 15-Pin DirectFET