onsemi NXH020U90MNF2PTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 900 V / 149 A 352 W, 20-Pin F2-VIENNA: Fall 180BZ
- RS Best.-Nr.:
- 261-9559
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH020U90MNF2PTG
- Marke:
- onsemi
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- NXH020U90MNF2PTG
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 149A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | F2-VIENNA: Fall 180BZ | |
| Serie | NXH020U90MNF2PTG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 20 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 352W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 546.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free, Pb-Free, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 149A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße F2-VIENNA: Fall 180BZ | ||
Serie NXH020U90MNF2PTG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 20 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 352W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 546.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Halide Free, Pb-Free, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die MOSFETs von ON Semiconductor sind ein Leistungsmodul, das ein Wiener Gleichrichtermodul enthält, bestehend aus zwei 10-Milliohm-Schaltern mit M2-Technologie und mit einem 15-V- bis 18-V-Gate-Antrieb.
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