Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 33 A 144 W, 3-Pin IRFU4615PBF IPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.12.13

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’815 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.426CHF.12.14
50 - 120CHF.2.142CHF.10.69
125 - 245CHF.1.995CHF.9.95
250 - 495CHF.1.848CHF.9.24
500 +CHF.1.334CHF.6.68

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6781
Herst. Teile-Nr.:
IRFU4615PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

42mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

144W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.

Verbesserte Gehäuse-Dioden-Fähigkeit dV/dt und dI/dt

Verwandte Links