ROHM QH8MA3 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7 A 2.5 W, 8-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 264-3774
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8MA3TCR
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- QH8MA3TCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Serie | QH8MA3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Serie QH8MA3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der mittlere Leistungs-MOSFET von ROHM ist für Schaltnetzteile geeignet, hat ein kleines oberflächenmontierbares Gehäuse, eine Pb-freie Bleiplattierung und ist RoHS-konform.
Geringer Widerstand
Halogenfrei
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