ROHM RD3H045SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / -4.5 A 15 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-3804
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3H045SPTL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.357 | CHF.887.25 |
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- RS Best.-Nr.:
- 264-3804
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3H045SPTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 45V | |
| Serie | RD3H045SP | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 155mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 45V | ||
Serie RD3H045SP | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 155mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand von ROHM eignet sich zum Schalten, ist einfach zu steuern und kann Pb-frei beschichtet werden und ist RoHS-konform.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
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