ROHM RD3P130SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 2 W, 3-Pin RD3P130SPTL1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
172-0456
Herst. Teile-Nr.:
RD3P130SPTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3P130SP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.3mm

Länge

6.8mm

Breite

6.4 mm

Normen/Zulassungen

Pb-free lead plating, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der RD3P130SP ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, geeignet für das Schalten.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Antriebsstromkreise können einfach sein.

Die parallele Verwendung ist einfach.

Pb-freie Beschichtung

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