Microchip TN5335 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 350 V / 230 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 264-8925
Herst. Teile-Nr.:: TN5335K1-G
Marke:: Microchip

Microchip TN5335 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 350 V / 230 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 264-8925
Herst. Teile-Nr.:: TN5335K1-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	230mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	350V
	Serie	TN5335
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15Ω
	Channel-Modus	MOSFET
	Durchlassspannung Vf	1.8V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	2.9mm
	Breite	1.3 mm
	Höhe	1.12mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 350V
	Serie TN5335
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15Ω
	Channel-Modus MOSFET
	Durchlassspannung Vf 1.8V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 2.9mm
	Breite 1.3 mm
	Höhe 1.12mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - TN5335K1-G

Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Niedriger Schwellenwert

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundären Störungen

Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks

Microchip TN5335 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 350 V / 230 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-23

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