Microchip Einfach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 350 V Entleerung / 230 mA 1.6 W, 4-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
DN3535N8-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

350V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V, -20V

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.6mm

Länge

4.6mm

Breite

2.6mm

Supertex-N-Kanal-MOSFET-Transistoren mit Depletion-Modus


Die N-Kanal-Depletion-Modus-DMOS-FET-Transistoren der Serie Supertex von Microchip eignen sich für Anwendungen, die eine hohe Durchschlagsspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Durchlasswiderstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

Typische Anwendungen


Schalter normalerweise eingeschaltet

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstante Stromquellen

Stromversorgungsschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


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