Vishay SIHA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 179 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.110.10

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.2.202CHF.110.04
100 - 450CHF.1.798CHF.89.99
500 +CHF.1.525CHF.76.46

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
268-8287
Herst. Teile-Nr.:
SIHA150N60E-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SIHA

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.158Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay hat geringere Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Leistungsfaktorkorrekturnetzteilen eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

Verwandte Links