Vishay SIHA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 179 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 268-8288
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA150N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC | |
| Serie | SIHA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8DC | ||
Serie SIHA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHA-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 9 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHA150N60E-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-Transistor, der für industrielle und elektronische Steuerungsumgebungen geeignet ist, in denen Hochspannungshandhabung und kompakte Montage erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten • 0,158 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste für mehr Effizienz • 36 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebszeit • 179 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter • Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstadien • Wird für Schaltmodus-Stromversorgungsschalter auf der Primärseite verwendet • Kann für induktives Lastschalten in Automatisierungssystemen verwendet werden
Für welche Gate-Drive-Beschränkungen sollte ich planen?
Das Gate muss innerhalb von ±30 V mit einer typischen Gate-Ladung von 36 nC betrieben werden
stellen Sie sicher, dass Ihr Treiber die erforderliche Ladung und Schaltgeschwindigkeit liefern kann.
Wie sollte das Wärmemanagement für einen kontinuierlichen Betrieb herangezogen werden?
Mit einer Verlustleistung von 179 W und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C verwenden Sie geeignete Leiterplatten-Wärmeleitungen, Kupferfläche oder Kühlkörper, um die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen zu halten.
Ist dieses Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Es ist nicht als konform mit dem Automobilstandard spezifiziert, daher sollte es nicht für zertifizierte Automobilanwendungen ohne zusätzliche Validierung geeignet sein.
Welche Gehäuse- und Montageaspekte beeinflussen das Layout?
Das Gerät wird in einem PowerPAK SO‐8DC-Oberflächenmontagegehäuse mit acht Pins geliefert
Plan-Pad-Geometrie und thermische Pads für niedrigen Wärmewiderstand und zuverlässige Lötverbindungen.
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