Vishay SIHA N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 179 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 268-8288
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA150N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA150N60E-GE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHA | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHA | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8DC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHA-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 9 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHA150N60E-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Schaltkreise vorgesehen, die einen hohen Spannungsbereich und einen moderaten Gleichstrom erfordern. Das Gerät wird in einem PowerPAK SO-8DC-Gehäuse geliefert, das für kompakte Board-Layouts geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine moderate Leistungsabgabe
• Niedrige Rds(on) von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine hohe Lastaufnahme
• Eine typische Gate-Ladung von 36 nC sorgt für eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine moderate Leistungsabgabe
• Niedrige Rds(on) von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine hohe Lastaufnahme
• Eine typische Gate-Ladung von 36 nC sorgt für eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird für Server- und Telekommunikations-Power-Management-Module verwendet
• Kann für LED-Treiber verwendet werden, die Hochspannungsschalter erfordern
• Geeignet für Wechselrichter- und USV-Leistungsstufen
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird für Server- und Telekommunikations-Power-Management-Module verwendet
• Kann für LED-Treiber verwendet werden, die Hochspannungsschalter erfordern
• Geeignet für Wechselrichter- und USV-Leistungsstufen
Welche Montageart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Es handelt sich um ein SMD-Gerät, das in einem PowerPAK SO-8DC-Gehäuse geliefert wird und für das Reflow-Löten auf Leiterplatten-Muster entwickelt wurde, die mit SO-8DC-Footprints kompatibel sind.
Wie verhält es sich bei erhöhten Temperaturen?
Der Transistor ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Systemen, die niedrigen Umgebungsbedingungen und erhöhter interner Heizung ausgesetzt sind.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Die Gate-to-Source-Spannung darf ±30 V nicht überschreiten, daher sollten Gate-Treiber innerhalb dieser Grenzen begrenzt werden, um Gate-Oxid-Spannungen zu vermeiden.
Welche Norm schränkt gefährliche Stoffe in dieser Komponente ein?
Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen, die Beschränkungen für bestimmte gefährliche Materialien während der Herstellung angeben.
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