Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin BSC010N04LSATMA1 TDSON

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RS Best.-Nr.:
273-2625
Herst. Teile-Nr.:
BSC010N04LSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

139W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

95nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 40 V. Dieser MOSFET ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert und weist aufgrund der vergrößerten Source-Verbindung eine höhere Zuverlässigkeit der Lötstellen auf. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Bleibeschichtung

Sehr geringer Widerstand

Hervorragende Wärmebeständigkeit

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