Infineon CoolGaN, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 15 A 114 W, 8-Pin PG-LSON-8-1

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RS Best.-Nr.:
273-2749
Herst. Teile-Nr.:
IGLD60R070D1AUMA3
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PG-LSON-8-1

Serie

CoolGaN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor von Infineon besteht aus einem Galliumnitrid und verfügt über den CoolGaN™ 600 V Enhancement-Modus. Dieser Leistungstransistor bietet eine schnelle Ein- und Ausschaltgeschwindigkeit, minimale Schaltverluste und ermöglicht einfache Halbbrückentopologien mit höchstem Wirkungsgrad. Die Galliumnitrid CoolGaN™ 600V-Serie ist nach einer umfassenden, auf GaN zugeschnittenen Qualifizierung qualifiziert, die weit über die bestehenden Standards hinausgeht. Sie eignen sich für Datacom- und Server-Schaltnetzteile, die Telekommunikation sowie für Adapter, Ladegeräte, drahtloses Laden und zahlreiche andere Anwendungen, die höchste Effizienz oder Leistungsdichte erfordern.

Reduziert elektromagnetische Störungen

Systemkosteneinsparungen

Fähig zur Rückleitung

Überlegene Robustheit bei der Kommutierung

Ermöglicht höhere Betriebsfrequenzen

Niedrige Gate-Ladung und niedrige Ausgangsladung

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