Infineon CoolGaN, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 15 A 114 W, 8-Pin PG-LSON-8-1

Der Leistungstransistor von Infineon besteht aus einem Galliumnitrid und verfügt über den CoolGaN™ 600 V Enhancement-Modus. Dieser Leistungstransistor bietet eine schnelle Ein- und Ausschaltgeschwindigkeit, minimale Schaltverluste und ermöglicht einfache Halbbrückentopologien mit höchstem Wirkungsgrad. Die Galliumnitrid CoolGaN™ 600V-Serie ist nach einer umfassenden, auf GaN zugeschnittenen Qualifizierung qualifiziert, die weit über die bestehenden Standards hinausgeht. Sie eignen sich für Datacom- und Server-Schaltnetzteile, die Telekommunikation sowie für Adapter, Ladegeräte, drahtloses Laden und zahlreiche andere Anwendungen, die höchste Effizienz oder Leistungsdichte erfordern.

Reduziert elektromagnetische Störungen