Infineon CoolMOS CPA N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 31 A 255 W, 3-Pin PG-TO263-3-2
- RS Best.-Nr.:
- 273-2773
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R099CPAATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 273-2773
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R099CPAATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3-2 | |
| Serie | CoolMOS CPA | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 255W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 40mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 40mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3-2 | ||
Serie CoolMOS CPA | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 255W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 40mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 40mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein CoolMOS-Leistungstransistor. Dieser MOSFET verfügt über eine hohe Spitzenstromfähigkeit mit dem weltweit besten Einschaltwiderstand. Dieser CoolMOS wurde speziell für DC/DC-Wandler im Automobilbereich entwickelt.
RoHS-konform
Extrem niedrige Gate-Ladung
Hohe Spitzenstromfähigkeit
Nach dem Automobilstandard AEC Q101 qualifiziert
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