Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 114 W, 3-Pin IPB65R115CFD7AATMA1 PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:
273-2779
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R115CFD7AATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.115Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungsbauteil des Typs CoolMOS CFD7 A mit 650 V. Es handelt sich um einen CoolMOS MOSFET der neuesten Generation von marktführenden, für den Automobilbereich qualifizierten Hochspannungsbauteilen von Infineon. Zusätzlich zu den von den bereits bekannten und von der Automobilindustrie benötigten Eigenschaften wie hohe Qualität und Zuverlässigkeit bietet die neue CoolMOS CFD7A-Serie eine integrierte schnelle Bodydiode und kann für PFC- und resonante Schalttopologien wie die ZVS-Phasenverschiebungs-Vollbrücke und LLC verwendet werden.

Geringere Schaltverluste

Hohe Qualität und Zuverlässigkeit

100 Prozent gegen Lawinendurchbruch getestet

Optimiert für höhere Batteriespannungen

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