Infineon OptiMOSTM Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin ISC011N03L5SATMA1

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RS Best.-Nr.:
273-2813
Herst. Teile-Nr.:
ISC011N03L5SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOSTM

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET und für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert. Dieser MOSFET ist nach dem JEDEC-Standard qualifiziert und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform

Bleifreie Bleibeschichtung

Sehr geringe Widerstandsfähigkeit

Herrvorragende Wärmebeständigkeit

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