Infineon OptiMOSTM Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-2813
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC011N03L5SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2813
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC011N03L5SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET und für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert. Dieser MOSFET ist nach dem JEDEC-Standard qualifiziert und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
RoHS-konform
Bleifreie Bleibeschichtung
Sehr geringe Widerstandsfähigkeit
Herrvorragende Wärmebeständigkeit
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