Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 87 A 38 W, 3-Pin IPA029N06NM5SXKSA1

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RS Best.-Nr.:
273-2995
Herst. Teile-Nr.:
IPA029N06NM5SXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

87A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

PG-TO-220 FullPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon im TO-220 fullPAK-Gehäuse verfügt über eine erhöhte Leistungsdichte, verbesserten Wirkungsgrad mit niedrigem RDS und niedrigeren Systemkosten. Das TO-220 FullPAK-Paket-Portfolio an Leistungs-MOSFETs ist eine perfekte Lösung für die synchrone Gleichrichtung.

Weniger Parallelen erforderlich

Niederspannungsüberschreitung

Weniger Wärmeerzeugung

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