Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 15 A 38 W, 3-Pin PG-TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 273-7457
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA600N25NM3SXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.3.131 | CHF.6.25 |
| 10 - 18 | CHF.2.848 | CHF.5.71 |
| 20 - 98 | CHF.2.788 | CHF.5.58 |
| 100 - 248 | CHF.2.606 | CHF.5.20 |
| 250 + | CHF.2.404 | CHF.4.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7457
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA600N25NM3SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße PG-TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET ist zu 100 Prozent Avalanche-getestet und nach JEDEC-Standard qualifiziert. Er ist ein N-Kanal-MOSFET und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-konform
Hervorragende Gate-Ladung
Sehr niedriger Durchgangswiderstand
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