Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 87 A 38 W, 3-Pin PG-TO-220 FullPAK
- RS Best.-Nr.:
- 273-2996
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2996
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220 FullPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße PG-TO-220 FullPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon im TO-220 fullPAK-Gehäuse verfügt über eine erhöhte Leistungsdichte, verbesserten Wirkungsgrad mit niedrigem RDS und niedrigeren Systemkosten. Das TO-220 FullPAK-Paket-Portfolio an Leistungs-MOSFETs ist eine perfekte Lösung für die synchrone Gleichrichtung.
Weniger Parallelen erforderlich
Niederspannungsüberschreitung
Weniger Wärmeerzeugung
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