Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 87 A 38 W, 3-Pin PG-TO-220 FullPAK
- RS Best.-Nr.:
- 273-2996
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.4.868
Auf Lager
- 480 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.2.434 | CHF.4.87 |
| 10 - 18 | CHF.2.202 | CHF.4.41 |
| 20 - 24 | CHF.2.172 | CHF.4.34 |
| 26 - 48 | CHF.2.04 | CHF.4.07 |
| 50 + | CHF.1.879 | CHF.3.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2996
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220 FullPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße PG-TO-220 FullPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon im TO-220 fullPAK-Gehäuse verfügt über eine erhöhte Leistungsdichte, verbesserten Wirkungsgrad mit niedrigem RDS und niedrigeren Systemkosten. Das TO-220 FullPAK-Paket-Portfolio an Leistungs-MOSFETs ist eine perfekte Lösung für die synchrone Gleichrichtung.
Weniger Parallelen erforderlich
Niederspannungsüberschreitung
Weniger Wärmeerzeugung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 87 A 38 W, 3-Pin PG-TO-220 FullPAK
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 15 A 38 W, 3-Pin PG-TO-220
- Vishay SF Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 39 W, 3-Pin PG-TO-220 FullPAK
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 87 A 139 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 38 W, 8-Pin PG-TDSON-8-61
- Infineon OptiMOS 7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 220 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8-53
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 38 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 137 A 107 W, 3-Pin PG-TO252-3