Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 15 A 38 W, 3-Pin IPA600N25NM3SXKSA1

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.85.60

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.712CHF.85.68
100 +CHF.1.575CHF.78.59

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-7456
Herst. Teile-Nr.:
IPA600N25NM3SXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

PG-TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET ist zu 100 Prozent Avalanche-getestet und nach JEDEC-Standard qualifiziert. Er ist ein N-Kanal-MOSFET und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-konform

Hervorragende Gate-Ladung

Sehr niedriger Durchgangswiderstand

Verwandte Links