Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 28 W, 3-Pin PG-TO252-3

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.6.46

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2'290 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.0.646CHF.6.47
50 - 90CHF.0.545CHF.5.47
100 - 240CHF.0.505CHF.5.08
250 - 990CHF.0.495CHF.4.96
1000 +CHF.0.485CHF.4.87

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-3006
Herst. Teile-Nr.:
IPD25DP06NMATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

28W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automobilstandard

Nein

Die P-Kanal-MOSFETs von Infineon in einem DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie dar, die für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Umkehrpolaritätsschutzanwendungen ausgerichtet ist. Seine einfache Schnittstelle mit dem MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinen-Robustheit machen ihn geeignet

Einfache Schnittstelle zu MCU

Verbesserte Effizienz bei niedrigen Lasten durch niedrige Qg

Schnelles Schalten

Verwandte Links