Infineon 800V CoolMOS P7, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin PG-TO251-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-7470
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
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- 273-7470
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- IPU80R1K4P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | PG-TO251-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße PG-TO251-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET bietet eine bessere Produktionsausbeute, da ESD-bedingte Ausfälle reduziert werden. Bei diesem MOSFET gibt es weniger Produktionsprobleme und weniger Rückläufer, und es ist einfach, die richtigen Teile für die Feinabstimmung von Designs auszuwählen. Sie ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte, Einsparungen bei der Stückliste und geringere Montagekosten.
Vollständig optimiertes Portfolio
Erstklassige Leistung
Einfache Ansteuerung und Parallelschaltung
Integrierte Zenerdiode ESD-Schutz
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