Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 8-Pin 8x8LR
- RS Best.-Nr.:
- 279-9929
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHR080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | 8x8LR | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße 8x8LR | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 51 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHR080N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schaltgerät, das für anspruchsvolle industrielle Elektronik und Stromversorgungssysteme entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der auf die Oberflächenmontage zugeschnitten ist, und bietet eine robuste Leistung für Hochspannungsanwendungen, während er sich für Umgebungen eignet, die kompakte, auf der Platine montierte Stromversorgungskomponenten erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Fähigkeit für Hochspannungsschaltung
• 51 A Dauerstromverarbeitung für schwere Lasten
• Niedrige Rds(on) von 0,084 Ω zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 500 W Verlustleistung für thermischen Kopfraum
• 63 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate von maximal 30 V für gängige Antriebsspannungen
• 51 A Dauerstromverarbeitung für schwere Lasten
• Niedrige Rds(on) von 0,084 Ω zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 500 W Verlustleistung für thermischen Kopfraum
• 63 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate von maximal 30 V für gängige Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Wird für die DC/DC-Umwandlung in Automatisierungsgeräten verwendet
• Kann zum Schalten von Stufen in Energiemanagementsystemen verwendet werden
• Einsatz mit Hochtemperaturbaugruppen in rauen Umgebungen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Wird für die DC/DC-Umwandlung in Automatisierungsgeräten verwendet
• Kann zum Schalten von Stufen in Energiemanagementsystemen verwendet werden
• Einsatz mit Hochtemperaturbaugruppen in rauen Umgebungen
Welchen Temperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs vertragen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Systemen, die großen thermischen Schwankungen ausgesetzt sind.
Wie ist das Gerät für die Leiterplattenmontage verpackt?
Es wird in einem oberflächenmontierten 8x8LR-Gehäuse mit acht Stiften geliefert, um kompakte Leiterplatten-Layouts und automatisierte Platzierung zu unterstützen.
Welche Gate-Antriebsaspekte sollten beachtet werden?
Das Gate darf ±30 V nicht überschreiten
sollten Entwickler sicherstellen, dass die Antriebsstromkreise die Vgs innerhalb dieses Schwellenwerts begrenzen, um Gate-Schäden zu vermeiden.
Wie wirkt sich das Schaltverhalten auf das Wärmemanagement aus?
Eine typische Gate-Ladung von 63 nC beeinflusst Schaltverluste und beeinflusst daher die Wärmeentwicklung während des Hochfrequenzbetriebs, was die Anforderungen an den Kühlkörper oder das Leiterplatten-Kupfer informiert.
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