Vishay SQJQ936EL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 100 A, 4-Pin 8x8L
- RS Best.-Nr.:
- 280-0022
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ936EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
CHF.2’836.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | CHF.1.418 | CHF.2’828.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 280-0022
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ936EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | 8x8L | |
| Serie | SQJQ936EL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 40 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße 8x8L | ||
Serie SQJQ936EL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 40 V | ||
Durchlassspannung Vf 0V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs Automotive MOSFET ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
AEC-Q101-qualifiziert
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
Verwandte Links
- Vishay SQJQ936EL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 100 A, 4-Pin 8x8L SQJQ936EL-T1_GE3
- Vishay SQJQ144AE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 575 A 600 W, 8-Pin SQJQ144AE-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ148E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 375 A 325 W, 4-Pin SQJQ148E-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ142E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 460 A 500 W, 4-Pin SQJQ142E-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 701 A 600 W, 4-Pin SQJQ140E-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ936E Zweifach N-Kanal 4, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V Erweiterung / 100 A, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ144AE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 575 A 600 W, 8-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ148E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 375 A 325 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)