Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 9.7 A 48 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 541-1180
- Distrelec-Artikelnummer:
- 303-41-279
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF520NPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
25 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 4.30 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 1.39
- 10 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 414 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1'157 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 24 | CHF 1.39 | - |
| 25 - 49 | CHF 1.22 | CHF 4.30 |
| 50 - 99 | CHF 1.17 | CHF 11.10 |
| 100 - 249 | CHF 1.09 | CHF 30.30 |
| 250 + | CHF 0.98 | CHF 103.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 541-1180
- Distrelec-Artikelnummer:
- 303-41-279
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF520NPBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 9,7A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 48W maximale Verlustleistung - IRF520NPBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Wie wirkt sich der geringe On-Widerstand auf die Leistung aus?
Welche Bedeutung hat der Temperaturbereich?
Kann dieses Bauteil kurze Impulse mit höherem Strom verarbeiten?
Welche Überlegungen sollte ich bei der Installation anstellen?
Wie verhält sich das Gerät bei schnellen Schaltvorgängen?
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 9.7 A 48 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 9.7 A 48 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 64 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 135 V / 129 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 140 A, 3-Pin TO-220
