Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 1.7 A 54 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.1.806

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 06. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.1.81
10 - 49CHF.1.27
50 - 99CHF.1.13
100 - 249CHF.1.02
250 +CHF.0.94

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
542-9541
Herst. Teile-Nr.:
IRFBF20PBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

IRFBE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

54W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.7 mm

Länge

10.41mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Höhe

9.01mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links