Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 4 A 43 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 543-0018
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9510PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.0.767
Auf Lager
- 47 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 47 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 358 Einheit(en) mit Versand ab 30. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.0.77 |
| 10 - 49 | CHF.0.68 |
| 50 - 99 | CHF.0.64 |
| 100 - 249 | CHF.0.61 |
| 250 + | CHF.0.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 543-0018
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9510PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Einfache Laufwerkanforderungen
Verwandte Links
- Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 4 A 43 W, 3-Pin IRF9510PBF TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 43 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 43 W, 3-Pin IRF510PBF TO-220
- Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 1.8 A 2 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 6.8 A 60 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 3.5 A 40 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 1.8 A 2 W, 3-Pin IRF9610PBF TO-220
- Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 3.5 A 40 W, 3-Pin IRF9620PBF TO-220