Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 3.7 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 543-1645
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF510SPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.99
Vorübergehend ausverkauft
- 5'170 Einheit(en) mit Versand ab 09. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 1.798 | CHF 8.97 |
| 50 - 120 | CHF 1.707 | CHF 8.54 |
| 125 - 245 | CHF 1.252 | CHF 6.28 |
| 250 - 495 | CHF 1.172 | CHF 5.84 |
| 500 + | CHF 1.04 | CHF 5.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 543-1645
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF510SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 540mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.7W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 540mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.7W | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 3.7 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 3.7 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF540S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 28 A 3.7 W, 3-Pin TO-263
- DiodesZetex DMN6068SE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5.6 A 3.7 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 20 V / 5.6 A 2 W, 2-Pin TO-263
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-220