onsemi 2N7002L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 545-0012
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002LT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.6.05
Auf Lager
- 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 26'650 Einheit(en) mit Versand ab 01. Juli 2026
- Zusätzlich 9'000 Einheit(en) mit Versand ab 26. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | CHF.0.121 | CHF.6.01 |
| 500 - 950 | CHF.0.061 | CHF.2.83 |
| 1000 - 2450 | CHF.0.061 | CHF.2.78 |
| 2500 - 4950 | CHF.0.051 | CHF.2.68 |
| 5000 + | CHF.0.051 | CHF.2.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 545-0012
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002LT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.94mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie 2N7002L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.94mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi 2N7002L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 200 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.4 A 730 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 560 mA 690 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 400 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.5 A 730 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.2 A 900 mW, 3-Pin SOT-23