Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 3.8 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 650-3662
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-29-285
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF4905LPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 21.16
- Zusätzlich 5 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
- Zusätzlich 45 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
- Zusätzlich 250 Einheit(en) mit Versand ab 13. November 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 4.232 | CHF 21.14 |
| 25 - 45 | CHF 3.474 | CHF 17.35 |
| 50 - 120 | CHF 3.252 | CHF 16.25 |
| 125 - 245 | CHF 3.04 | CHF 15.20 |
| 250 + | CHF 2.788 | CHF 13.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 650-3662
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-29-285
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF4905LPBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, -70A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 3,8W maximale Verlustleistung - IRF4905LPBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Welche Art von Spannung kann während des Betriebs auftreten?
Kann dieses Gerät bei hohen Temperaturen betrieben werden?
Welchen Nutzen hat der niedrige RDS(on) für das Schaltungsdesign?
Ist diese Komponente mit typischen PCB-Designs kompatibel?
Wie hoch ist die Gate-Schwellenspannung für diesen MOSFET?
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 3.8 W, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 200 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 72 A, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-262
