Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 3.8 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 650-3662
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-29-285
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF4905LPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 21.16
- 5 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 65 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 250 Einheit(en) mit Versand ab 30. September 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 4.232 | CHF 21.14 |
| 25 - 45 | CHF 3.474 | CHF 17.35 |
| 50 - 120 | CHF 3.252 | CHF 16.25 |
| 125 - 245 | CHF 3.04 | CHF 15.20 |
| 250 + | CHF 2.788 | CHF 13.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 650-3662
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-29-285
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF4905LPBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, -70A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 3,8W maximale Verlustleistung - IRF4905LPBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Welche Art von Spannung kann während des Betriebs auftreten?
Kann dieses Gerät bei hohen Temperaturen betrieben werden?
Welchen Nutzen hat der niedrige RDS(on) für das Schaltungsdesign?
Ist diese Komponente mit typischen PCB-Designs kompatibel?
Wie hoch ist die Gate-Schwellenspannung für diesen MOSFET?
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 3.8 W, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 200 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 72 A, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-262
