Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 688-6850
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710ZPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.344 | CHF.2.68 |
| 20 - 48 | CHF.1.218 | CHF.2.43 |
| 50 - 98 | CHF.1.134 | CHF.2.28 |
| 100 - 198 | CHF.1.061 | CHF.2.12 |
| 200 + | CHF.0.977 | CHF.1.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 688-6850
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710ZPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69 mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69 mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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