Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
688-7134
Distrelec-Artikelnummer:
304-43-455
Herst. Teile-Nr.:
IRFU3607PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


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