Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 1.8 W, 3-Pin BSP320SH6327XTSA1 SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 753-2810
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP320SH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.693 | CHF.6.92 |
| 100 - 240 | CHF.0.662 | CHF.6.57 |
| 250 - 490 | CHF.0.63 | CHF.6.29 |
| 500 - 990 | CHF.0.599 | CHF.6.03 |
| 1000 + | CHF.0.557 | CHF.5.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 753-2810
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP320SH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Breite | 3.5 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Breite 3.5 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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