Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin BSC028N06LS3GATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 754-5241
Herst. Teile-Nr.:: BSC028N06LS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin BSC028N06LS3GATMA1 TDSON

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20 - 48	CHF.2.048	CHF.4.10
50 - 98	CHF.1.922	CHF.3.84
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RS Best.-Nr.:: 754-5241
Herst. Teile-Nr.:: BSC028N06LS3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	132nC
	Maximale Verlustleistung Pd	139W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.35mm
	Breite	6.1 mm
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 132nC
	Maximale Verlustleistung Pd 139W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.35mm
	Breite 6.1 mm
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

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