Vishay IRLR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.7 A 25 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 813-0718
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR014TRPBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 813-0718
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR014TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IRLR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IRLR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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