Vishay SiHG20N50C Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 20 A 250 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 814-1266
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG20N50C-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.22.26
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.4.452 | CHF.22.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 814-1266
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG20N50C-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | SiHG20N50C | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.27Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS (2002/95/EC), IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 15.87mm | |
| Breite | 5.31 mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie SiHG20N50C | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.27Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS (2002/95/EC), IEC 61249-2-21 | ||
Länge 15.87mm | ||
Breite 5.31 mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay SiHG20N50C Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 20 A 250 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 600 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 16 A 280 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 684 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 350 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 5.3 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
- Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 600 V / 6.8 A 150 W TO-247AC
- Vishay SiHG32N50D Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 30 A 390 W, 3-Pin TO-247AC