Vishay IRF9640S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 6.8 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 815-2676
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9640STRRPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | CHF.1.97 | CHF.19.73 |
| 20 - 40 | CHF.1.616 | CHF.16.17 |
| 50 - 90 | CHF.1.515 | CHF.15.17 |
| 100 - 240 | CHF.1.454 | CHF.14.60 |
| 250 + | CHF.1.384 | CHF.13.81 |
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- RS Best.-Nr.:
- 815-2676
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9640STRRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IRF9640S | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | -5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IRF9640S | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf -5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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