Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 72 A 61 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 827-3962
Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-457
Herst. Teile-Nr.:: IRFI4110GPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 72 A 61 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 827-3962
Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-457
Herst. Teile-Nr.:: IRFI4110GPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	72A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	190nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20, +20V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	61W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	16.13mm
	Länge	10.75mm
	Breite	4.83mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 61W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 16.13mm
	Länge 10.75mm
	Breite 4.83mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 72A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 61W maximale Verlustleistung - IRFI4110GPBF

Dieser n-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet eine effiziente Stromverarbeitung und hohe Spannungstoleranz. Es ist in verschiedenen elektronischen Geräten unverzichtbar und gewährleistet einen robusten Betrieb in schwierigen Umgebungen. Seine Leistung beim Schalten und Wärmemanagement macht ihn zu einem bevorzugten Bauteil in der Automatisierung, Elektronik und Mechanik.

Eigenschaften und Vorteile

• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 72 A

• Niedriger Rds(on)-Widerstand für verbesserte Betriebseffizienz

• Enhancement-Modus für effektive Leistung

• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V

• Ausgezeichnetes Wärmemanagement bis zu +175°C

• Verbesserte Lawinenbeständigkeit für mehr Zuverlässigkeit

Anwendungsbereich

• Geeignet für hocheffiziente Synchrongleichrichtung

• Ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme

• Kompatibel mit Hochgeschwindigkeitsstromschaltungen

• Einsatz in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom für Ihre Anwendung?

Der kontinuierliche Drainstrom beträgt unter optimalen Bedingungen 72 A und ist damit für anspruchsvolle Anwendungen geeignet.

Welche Bedeutung hat die Gate-Schwellenspannung?

Die Gate-Schwellenspannung reicht von 2V bis 4V und ermöglicht eine präzise Steuerung der Schalteigenschaften.

Wie wird die thermische Leistung des MOSFETs gesteuert?

Er hat eine maximale Betriebstemperatur von +175°C, was die Haltbarkeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen unterstützt.

Welche Vorteile bietet ein niedriger Rds(on) bei der Geräteleistung?

Ein niedriger Rds(on) verringert die Leistungsverluste beim Schalten und führt zu einer verbesserten Gesamteffizienz.

Kann dieses Produkt Hochfrequenzschaltungen verarbeiten?

Ja, er wurde speziell für hart geschaltete und hochfrequente Anwendungen entwickelt und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung.