Texas Instruments Einfach NexFET N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 259 A 375 W,

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
827-4919
Herst. Teile-Nr.:
CSD19536KCS
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

259A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

NexFET

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

118nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

-5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Höhe

16.51mm

Länge

10.67mm

Breite

4.7mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFETTM-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.