Texas Instruments NexFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 3.1 W, 8-Pin SON

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827-4883
Herst. Teile-Nr.:
CSD18504Q5A
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Durchlassspannung Vf

800mV

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.8mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


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