Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 45 A 37.5 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 892-2125
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 5 - 45 | CHF 3.111 | CHF 15.56 |
| 50 - 120 | CHF 2.868 | CHF 14.32 |
| 125 - 245 | CHF 2.677 | CHF 13.39 |
| 250 - 495 | CHF 2.485 | CHF 12.44 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 892-2125
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.85mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.85mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 45A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 37,5W maximale Verlustleistung - IPA086N10N3GXKSA1
Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik entwickelt. Als Leistungstransistor verbessert er das Energiemanagement, indem er eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit bietet. Sein robustes Design unterstützt Hochfrequenzschaltungen und eignet sich daher für Umgebungen, in denen eine hohe Leistung erforderlich ist.
Eigenschaften und Vorteile
• N-Kanal-Konfiguration optimiert das Strommanagement
• Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz des Gesamtsystems
• Arbeitet bei Temperaturen bis zu +175°C für anpassungsfähige Anwendungen
• Vollständig isoliertes Gehäuse verbessert die Sicherheit während des Betriebs
• Entspricht den RoHS- und halogenfreien Standards für eine umweltfreundliche Nutzung
Anwendungsbereich
• Ideal für Hochfrequenzschaltungen in elektronischen Geräten
• Einsatz in der Synchrongleichrichtung zur Maximierung des Wirkungsgrads
• Geeignet für die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Effektiv in temperaturempfindlichen Umgebungen dank robuster thermischer Leistung
Welche Bedeutung hat der niedrige Einschaltwiderstand in diesem Gerät?
Der niedrige Einschaltwiderstand reduziert die Leistungsverluste während des Betriebs, was zu einer verbesserten Effizienz in Power-Management-Schaltungen führt. Dies führt zu einer geringeren Wärmeentwicklung und einer verbesserten Gesamtleistung.
Kann dieser MOSFET in Automobilanwendungen eingesetzt werden?
Ja, es eignet sich für Anwendungen in der Automobilindustrie, da es die Anforderungen an die Hochtemperaturleistung erfüllt und einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Lastbedingungen bietet.
Wie beeinflusst die Gate-Schwellenspannung die Funktion der Schaltung?
Die Gate-Schwellenspannung bestimmt, wann der MOSFET zu leiten beginnt. In diesem Fall reicht er von 2V bis 3,5V, wodurch sichergestellt wird, dass die Aktivierung nur bei geeigneten Spannungspegeln erfolgt, wodurch andere Komponenten geschützt werden.
Welche Arten von Schaltungen sind am besten mit diesem Leistungstransistor kompatibel?
Dieser Leistungstransistor ist mit Hochfrequenz-Schaltkreisen und Anwendungen mit synchroner Gleichrichtung kompatibel und bietet vielseitige Einsatzmöglichkeiten für verschiedene elektronische Designs.
Wie sollte der MOSFET für eine optimale Leistung montiert werden?
Der MOSFET sollte mit der Durchsteckmethode montiert werden, um sichere Verbindungen und eine effektive Wärmeableitung auf der Grundlage seiner Wärmewiderstandsspezifikationen zu gewährleisten.
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