Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 45 A 37.5 W, 3-Pin IPA086N10N3GXKSA1 TO-220

RS Best.-Nr.:: 892-2125
Herst. Teile-Nr.:: IPA086N10N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 45 A 37.5 W, 3-Pin IPA086N10N3GXKSA1 TO-220

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50 - 120	CHF.1.68	CHF.8.38
125 - 245	CHF.1.565	CHF.7.82
250 - 495	CHF.1.449	CHF.7.27
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RS Best.-Nr.:: 892-2125
Herst. Teile-Nr.:: IPA086N10N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	45A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	37.5W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	42nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.65mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.85 mm
	Höhe	16.15mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 37.5W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.65mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.85 mm
	Höhe 16.15mm
	Automobilstandard Nein

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 45A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 37,5W maximale Verlustleistung - IPA086N10N3GXKSA1

Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik entwickelt. Als Leistungstransistor verbessert er das Energiemanagement, indem er eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit bietet. Sein robustes Design unterstützt Hochfrequenzschaltungen und eignet sich daher für Umgebungen, in denen eine hohe Leistung erforderlich ist.

Eigenschaften und Vorteile

• N-Kanal-Konfiguration optimiert das Strommanagement

• Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz des Gesamtsystems

• Arbeitet bei Temperaturen bis zu +175°C für anpassungsfähige Anwendungen

• Vollständig isoliertes Gehäuse verbessert die Sicherheit während des Betriebs

• Entspricht den RoHS- und halogenfreien Standards für eine umweltfreundliche Nutzung

Anwendungsbereich

• Ideal für Hochfrequenzschaltungen in elektronischen Geräten

• Einsatz in der Synchrongleichrichtung zur Maximierung des Wirkungsgrads

• Geeignet für die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern

• Effektiv in temperaturempfindlichen Umgebungen dank robuster thermischer Leistung

Welche Bedeutung hat der niedrige Einschaltwiderstand in diesem Gerät?

Der niedrige Einschaltwiderstand reduziert die Leistungsverluste während des Betriebs, was zu einer verbesserten Effizienz in Power-Management-Schaltungen führt. Dies führt zu einer geringeren Wärmeentwicklung und einer verbesserten Gesamtleistung.

Kann dieser MOSFET in Automobilanwendungen eingesetzt werden?

Ja, es eignet sich für Anwendungen in der Automobilindustrie, da es die Anforderungen an die Hochtemperaturleistung erfüllt und einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Lastbedingungen bietet.

Wie beeinflusst die Gate-Schwellenspannung die Funktion der Schaltung?

Die Gate-Schwellenspannung bestimmt, wann der MOSFET zu leiten beginnt. In diesem Fall reicht er von 2V bis 3,5V, wodurch sichergestellt wird, dass die Aktivierung nur bei geeigneten Spannungspegeln erfolgt, wodurch andere Komponenten geschützt werden.

Welche Arten von Schaltungen sind am besten mit diesem Leistungstransistor kompatibel?

Dieser Leistungstransistor ist mit Hochfrequenz-Schaltkreisen und Anwendungen mit synchroner Gleichrichtung kompatibel und bietet vielseitige Einsatzmöglichkeiten für verschiedene elektronische Designs.

Wie sollte der MOSFET für eine optimale Leistung montiert werden?

Der MOSFET sollte mit der Durchsteckmethode montiert werden, um sichere Verbindungen und eine effektive Wärmeableitung auf der Grundlage seiner Wärmewiderstandsspezifikationen zu gewährleisten.