Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 69 A 125 W, 3-Pin TO-220

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Distrelec-Artikelnummer:
304-44-439
Herst. Teile-Nr.:
IPP12CN10LGXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

69A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 2

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.95mm

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.

MOSFET-Transistoren, Infineon


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